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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs SK Hynix Kingston 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Puntuación global
SK Hynix Kingston 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
53
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
1,544.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
6400
En 1.66% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix Kingston 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR2
Latencia en PassMark, ns
24
53
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
3,538.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
1,544.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
6400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2444
529
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix Kingston 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
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