Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix Kingston 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs SK Hynix Kingston 4GB

Puntuación global
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Puntuación global
star star star star star
SK Hynix Kingston 4GB

SK Hynix Kingston 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 53
    En 55% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.8 left arrow 1,544.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 6400
    En 1.66% mayor ancho de banda
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 15.5
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    24 left arrow 53
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.5 left arrow 3,538.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.8 left arrow 1,544.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2444 left arrow 529
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones