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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix Kingston 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs SK Hynix Kingston 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

総合得点
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SK Hynix Kingston 4GB

SK Hynix Kingston 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 53
    周辺 55% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 1,544.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 6400
    周辺 1.66% 高帯域
SK Hynix Kingston 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix Kingston 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.5
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 53
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 3,538.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.8 left arrow 1,544.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2444 left arrow 529

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