Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix Kingston 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs SK Hynix Kingston 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix Kingston 4GB

SK Hynix Kingston 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    24 left arrow 53
    Wokół strony 55% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.8 left arrow 1,544.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    10600 left arrow 6400
    Wokół strony 1.66% większa szerokość pasma
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 15.5
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    24 left arrow 53
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.5 left arrow 3,538.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.8 left arrow 1,544.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2444 left arrow 529
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania