Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix Kingston 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB против SK Hynix Kingston 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix Kingston 4GB

SK Hynix Kingston 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 53
    Около 55% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    8.8 left arrow 1,544.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    10600 left arrow 6400
    Около 1.66% выше полоса пропускания
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 15.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 53
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.5 left arrow 3,538.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.8 left arrow 1,544.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2444 left arrow 529
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения