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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR3
Latence dans PassMark, ns
24
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
12800
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2588
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
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Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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