RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR3
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
12800
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2588
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link