RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Comparez
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Note globale
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
28
42
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1587
2011
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link