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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
92
Autour de -56% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
59
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
1954
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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