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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,077.3
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
61
Autour de -85% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,835.2
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,077.3
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
606
3035
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaison des RAM
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Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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