RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
61
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3035
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link