RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,077.3
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
61
Около -85% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,835.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,077.3
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
606
3035
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link