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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Comparez
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Note globale
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
39
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2270
2852
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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