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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
39
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2270
2852
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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