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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
39
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2270
2852
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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