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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Compara
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Puntuación global
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
39
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2270
2852
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
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