RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Porównaj
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2270
2852
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link