RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
80
Autour de 66% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
80
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
1564
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link