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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
80
Por volta de 66% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
13.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
80
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1564
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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