RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
80
Intorno 66% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
13.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
80
Velocità di lettura, GB/s
13.8
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
1564
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link