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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Comparez
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Note globale
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Note globale
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,069.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
106
Autour de -104% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
106
52
Vitesse de lecture, GB/s
3,273.7
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,069.2
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
734
2472
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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