RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
77
Autour de -120% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2566
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link