RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2566
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link