RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
77
Около -120% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2566
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link