RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
77
Intorno -120% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
35
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2566
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link