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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
77
Autour de -221% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3257
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
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RAM 1
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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