RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3257
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link