RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3257
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link