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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
77
Autour de -141% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3393
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
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