RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
77
Около -141% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
20.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3393
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link