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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
36
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
33
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3035
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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