RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3035
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link