RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
36
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
10.3
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3035
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link