Comparaison de la RAM Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Note globale

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

29 36

Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

22.8 15.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

16.9 11.8

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2497 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns