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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
36
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
22.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
3792
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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