Porównanie pamięci RAM Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Wynik ogólny

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 36

Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

22.8 15.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

16.9 11.8

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2497 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns