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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
36
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
22.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
3792
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