Confronto tra le RAM Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 36

Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

22.8 15.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

16.9 11.8

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2497 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns