Comparação RAM Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Pontuação geral

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

29 36

Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

22.8 15.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

16.9 11.8

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2497 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns