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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs AMD R534G1601U1S 4GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
AMD R534G1601U1S 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
68
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
4.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R534G1601U1S 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
37
68
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
6.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
4.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1209
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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