Comparaison de la RAM Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs AMD R534G1601U1S 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs AMD R534G1601U1S 4GB

Note globale

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

37 68

Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.2 6.5

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.4 4.7

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
AMD R534G1601U1S 4GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

12800 10600

Autour de 1.21 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2143 1209

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns