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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs AMD R534G1601U1S 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
AMD R534G1601U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
68
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
6.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
4.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R534G1601U1S 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
37
68
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
6.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
4.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1209
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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