Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против AMD R534G1601U1S 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
AMD R534G1601U1S 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    37 left arrow 68
    Около 46% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.2 left arrow 6.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.4 left arrow 4.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    37 left arrow 68
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.2 left arrow 6.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 4.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2143 left arrow 1209
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения