RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
104
Autour de -285% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2140
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link