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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
68
Autour de -113% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
no data
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
, 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
2918
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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