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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Punteggio complessivo
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Punteggio complessivo
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Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 14.1
    Valore medio nei test
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB Motivi da considerare
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    32 left arrow 68
    Intorno -113% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.9 left arrow 1,702.6
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    68 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,886.6 left arrow 14.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,702.6 left arrow 13.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow no data
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    654 left arrow 2918

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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