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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
68
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
no data
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
, 1.20000005, CAS Supported:
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
2918
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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