RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
41
Autour de -11% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.1
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1348
2229
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link