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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Comparez
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Note globale
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Note globale
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
101
Autour de -120% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
101
46
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1313
2660
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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