RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
101
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
101
46
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1313
2660
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link