SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Средняя оценка

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Сообщить об ошибке

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 101

Около -120% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 14.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.4 7.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 19200

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

101 46
Скорость чтения, Гб/сек

14.2 16.0
Скорость записи, Гб/сек

7.0 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 25600

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1313 2660

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB

Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB

Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9965657-011.A00G 16GB

Kingston 9965657-011.A00G 16GB

модули RAM

Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB

Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB

SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

модули RAM