Comparación de la memoria RAM SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Puntuación global

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

46 101

En -120% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

16 14.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.4 7.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 19200

En 1.33 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1313 2660

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns