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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
総合得点
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
総合得点
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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考慮すべき理由
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
46
101
周辺 -120% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
14.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
7.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
101
46
読み出し速度、GB/s
14.2
16.0
書き込み速度、GB/秒
7.0
12.4
メモリ帯域幅、mbps
19200
25600
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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